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       隨著電力電子技術的迅速發(fā)展，晶閘管（可控硅開關）開始用于SVC裝置中，出現(xiàn)了晶閘管控制電抗器（TCR）和晶閘管投切電容器（TSC）這兩種基本結構式的SVC，以及它們的混合裝置，如TCR+TSC、TCR+FC等。

       使用晶閘管開關對無功器件（電容器和電抗器）進行投切或控制的優(yōu)點是響應速度快，可以頻繁投切。因此使用晶閘管的靜止無功補償裝置近年來發(fā)展很快，靜止無功補償裝置（SVC）這個詞往往專指使用晶閘管等電力電子開關器件的靜止無功補償裝置。SVC主要有晶閘管控制電抗器（TCR：Thyristor Control Reactor）、晶閘管開關電容器（TSC：Thyrisor Switch Capacitor）。比SVC更先進的無功補償裝置是靜止無功發(fā)生器（SVG：Static VarGenerator）。

       晶閘管投切模塊(單相)技術源自德國，我司在充分消化吸收德國技術和先進制造工藝的基礎上，研制出了擁有自主知識產權的新一代晶閘管投切模塊。模塊主要由雙向晶閘管，觸發(fā)電路，吸收電路，保護電路，智能型散熱片組成。自主專利技術保證電壓過零觸發(fā)，電流過零斷開，真正實現(xiàn)投切無涌流，跟隨速度快，有效補償沖擊性負荷，平均響應時間小于18ms，很好地取代傳統(tǒng)投切裝置。